Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JAN1N6642UBCC

Microsemi Corporation - JAN1N6642UBCC

KEY Part #: K6439102

JAN1N6642UBCC Kainodara (USD) [3504vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$12.42186
  • 100 pcs$12.36006
Dalies numeris:
JAN1N6642UBCC
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 75V 300MA UB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - RF, Galios tvarkyklės moduliai and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6642UBCC electronic components. JAN1N6642UBCC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6642UBCC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6642UBCC Produkto atributai

Dalies numeris : JAN1N6642UBCC
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 75V 300MA UB
Serija : Military, MIL-PRF-19500/578
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 75V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 300mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.2V @ 100mA
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 5ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 500nA @ 75V
Talpa @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 3-SMD, No Lead
Tiekėjo įrenginio paketas : 3-UB (3.09x2.45)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • APT15DQ100KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, TO-220, RoHS

  • APT15D120KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1200V, 15A, TO-220, RoHS

  • APT15D100KG

    Microsemi Corporation

    DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220. Rectifiers FG, FRED, 1000V, 15A, TO-220, RoHS

  • MB10H100HE3_A/P

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A,100V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified

  • NSB8KTHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 800V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified

  • NSB8JTHE3_A/P

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8A 600V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified

Karštos dalys