Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. AS4C64M16D3B-12BAN

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3B-12BAN

KEY Part #: K937163

AS4C64M16D3B-12BAN Kainodara (USD) [16070vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.85133
Dalies numeris:
AS4C64M16D3B-12BAN
Gamintojas:
Alliance Memory, Inc.
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - FIFOs atmintis, Linijiniai - stiprintuvai - instrumentai, OP stipr, Laikrodis / laikas - laikrodžių generatoriai, PLL,, Atmintis - baterijos, Įterptasis - mikrovaldiklis, mikroprocesorius, FPG, Įterptosios - FPGA (programuojamas lauko vartų rin, Sąsaja - balso įrašymas ir atkūrimas and Laikrodis / laikas - realaus laiko laikrodžiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BAN electronic components. AS4C64M16D3B-12BAN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D3B-12BAN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3B-12BAN Produkto atributai

Dalies numeris : AS4C64M16D3B-12BAN
Gamintojas : Alliance Memory, Inc.
apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR3
Atminties dydis : 1Gb (64M x 16)
Laikrodžio dažnis : 800MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 20ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.425V ~ 1.575V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 105°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 96-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 96-FBGA (13x9)

Naujausios naujienos

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Galbūt jus taip pat domina
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R

  • TC58NYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Karštos dalys