ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160F-5BLA1-TR

KEY Part #: K938170

IS46R16160F-5BLA1-TR Kainodara (USD) [19375vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.63707
  • 2,500 pcs$2.62395

Dalies numeris:
IS46R16160F-5BLA1-TR
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Specializuoti IC, Sąsaja - valdikliai, Sąsaja - analoginiai jungikliai, multiplekseriai, , PMIC - įtampos reguliatoriai - linijiniai, Logika - signalų jungikliai, multiplekseriai, deko, Logika - vartai ir keitikliai - daugiafunkciniai, and PMIC - Apšvietimas, balastiniai valdikliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5BLA1-TR electronic components. IS46R16160F-5BLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160F-5BLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160F-5BLA1-TR Produkto atributai

Dalies numeris : IS46R16160F-5BLA1-TR
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR
Atminties dydis : 256Mb (16M x 16)
Laikrodžio dažnis : 200MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 700ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 2.3V ~ 2.7V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 60-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 60-TFBGA (13x8)

Naujausios naujienos

Galbūt jus taip pat domina
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)