BAV21W-G RHG Kainodara (USD) [2546879vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01452
- Dalies numeris:
- BAV21W-G RHG
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode 400mW
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation BAV21W-G RHG electronic components. BAV21W-G RHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21W-G RHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21W-G RHG Produkto atributai
Dalies numeris :
BAV21W-G RHG
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
200mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.25V @ 200mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 200V
Talpa @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
SOD-123
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-123
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
Karštos dalys
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR