Microsemi Corporation - APT11N80BC3G

KEY Part #: K6395057

APT11N80BC3G Kainodara (USD) [15456vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.93506
  • 10 pcs$2.62084
  • 100 pcs$2.14894
  • 500 pcs$1.74012
  • 1,000 pcs$1.46758

Dalies numeris:
APT11N80BC3G
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation APT11N80BC3G electronic components. APT11N80BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT11N80BC3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT11N80BC3G Produkto atributai

Dalies numeris : APT11N80BC3G
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 800V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 11A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 450 mOhm @ 7.1A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.9V @ 680µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 60nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1585pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 156W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247 [B]
Pakuotė / Byla : TO-247-3