Vishay Siliconix - SIHB180N60E-GE3

KEY Part #: K6397627

SIHB180N60E-GE3 Kainodara (USD) [24228vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.70110

Dalies numeris:
SIHB180N60E-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH D2PAK TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tiristoriai - TRIAC, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB180N60E-GE3 electronic components. SIHB180N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB180N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB180N60E-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SIHB180N60E-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Serija : E
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 600V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 19A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 33nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1085pF @ 100V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 156W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D²PAK (TO-263)
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.