SBR3U40P1Q-7 Kainodara (USD) [317689vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.11643
- 3,000 pcs$0.10345
- 6,000 pcs$0.09632
- 15,000 pcs$0.09275
- Dalies numeris:
- SBR3U40P1Q-7
- Gamintojas:
- Diodes Incorporated
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SBR 40V 3A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 3.0A SBR PowerDI 40Vrrm 0.47Vf 400uA
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF and Tiristoriai - TRIAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Diodes Incorporated SBR3U40P1Q-7 electronic components. SBR3U40P1Q-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR3U40P1Q-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SBR3U40P1Q-7 Produkto atributai
Dalies numeris :
SBR3U40P1Q-7
Gamintojas :
Diodes Incorporated
apibūdinimas :
DIODE SBR 40V 3A POWERDI123
Serija :
Automotive, AEC-Q101, SBR®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Super Barrier
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
40V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
500mV @ 3A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
400µA @ 40V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
POWERDI®123
Tiekėjo įrenginio paketas :
PowerDI™ 123
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G