GeneSiC Semiconductor - GA05JT01-46

KEY Part #: K6397796

GA05JT01-46 Kainodara (USD) [1662vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$28.37712
  • 10 pcs$26.70832
  • 25 pcs$25.03877

Dalies numeris:
GA05JT01-46
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
TRANS SJT 100V 9A.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 electronic components. GA05JT01-46 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA05JT01-46, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT01-46 Produkto atributai

Dalies numeris : GA05JT01-46
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : TRANS SJT 100V 9A
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : -
Technologija : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 9A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : -
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 240 mOhm @ 5A
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : -
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : -
VG (maks.) : -
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 20W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 225°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-46
Pakuotė / Byla : TO-46-3
Galbūt jus taip pat domina
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.