DB2L33400L1 Kainodara (USD) [990692vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.03823
- 1,000 pcs$0.03804
- 2,000 pcs$0.03423
- 5,000 pcs$0.03233
- 10,000 pcs$0.02948
- 25,000 pcs$0.02758
- 50,000 pcs$0.02536
- Dalies numeris:
- DB2L33400L1
- Gamintojas:
- Panasonic Electronic Components
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 0201.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tiristoriai - TRIAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Panasonic Electronic Components DB2L33400L1 electronic components. DB2L33400L1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB2L33400L1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DB2L33400L1 Produkto atributai
Dalies numeris :
DB2L33400L1
Gamintojas :
Panasonic Electronic Components
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA 0201
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
30V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
500mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
540mV @ 500mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
3.5ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
45µA @ 30V
Talpa @ Vr, F :
10pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
0201 (0603 Metric)
Tiekėjo įrenginio paketas :
0201 (0603 Metric)
Darbinė temperatūra - sankryža :
150°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08