SFF1004GHC0G Kainodara (USD) [267202vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.13842
- Dalies numeris:
- SFF1004GHC0G
- Gamintojas:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Tranzistoriai - JFET ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SFF1004GHC0G electronic components. SFF1004GHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SFF1004GHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SFF1004GHC0G Produkto atributai
Dalies numeris :
SFF1004GHC0G
Gamintojas :
Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 200V 10A ITO220AB
Serija :
Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
10A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
975mV @ 10A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 200V
Talpa @ Vr, F :
70pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tiekėjo įrenginio paketas :
ITO-220AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CDSV-20-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW
-
CDBV140-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A
-
VS-2EJH01-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr
-
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A