Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. BYV29FD-600,118

WeEn Semiconductors - BYV29FD-600,118

KEY Part #: K6445325

BYV29FD-600,118 Kainodara (USD) [2147vnt. sandėlyje]

  • 7,500 pcs$0.13455
Dalies numeris:
BYV29FD-600,118
Gamintojas:
WeEn Semiconductors
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK. Rectifiers ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - „Zener“ - vienviečiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV29FD-600,118 electronic components. BYV29FD-600,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV29FD-600,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV29FD-600,118 Produkto atributai

Dalies numeris : BYV29FD-600,118
Gamintojas : WeEn Semiconductors
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 9A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.9V @ 8A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 35ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 50µA @ 600V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tiekėjo įrenginio paketas : DPAK
Darbinė temperatūra - sankryža : 150°C (Max)
Galbūt jus taip pat domina
  • SS26SHE3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC.

  • BYG22A-E3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 50 Volt

  • BYS10-45-E3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 1.5A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.5 Amp 45 Volt

  • RS1A-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1.0 Amp 50V 150ns

  • US1KHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM

  • RS1GHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns 36 Amp IFSM

Karštos dalys