Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. S6Q

GeneSiC Semiconductor - S6Q

KEY Part #: K6425271

S6Q Kainodara (USD) [23353vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.51994
  • 200 pcs$2.50741
Dalies numeris:
S6Q
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4. Rectifiers 1200V 6A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S6Q electronic components. S6Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S6Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S6Q Produkto atributai

Dalies numeris : S6Q
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 6A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 6A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla : DO-203AA, DO-4, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-4
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C
Galbūt jus taip pat domina
  • RHRD660S9A-F085

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast

  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • LXA04B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr

  • LXA03D530-TL

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC

  • LXA03D530

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34

  • SBAS40LT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 40V TR

Karštos dalys