Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3AHE3/9AT

KEY Part #: K6447582

[1375vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    ES3AHE3/9AT
    Gamintojas:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - RF and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3AHE3/9AT electronic components. ES3AHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3AHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES3AHE3/9AT Produkto atributai

    Dalies numeris : ES3AHE3/9AT
    Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB
    Serija : -
    Dalies būsena : Obsolete
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 50V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 900mV @ 3A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 30ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V
    Talpa @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : DO-214AB, SMC
    Tiekėjo įrenginio paketas : DO-214AB (SMC)
    Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

    Galbūt jus taip pat domina
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.