MT41K128M8DA-107:J Kainodara (USD) [17017vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$2.69268
- Dalies numeris:
- MT41K128M8DA-107:J
- Gamintojas:
- Micron Technology Inc.
- Išsamus aprašymas:
- IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA. DRAM DDR3 1G 128MX8 FBGA
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: PMIC - Dabartinis reguliavimas / valdymas, PMIC - įtampos nuoroda, Linijinis - vaizdo apdorojimas, Sąsaja - jutiklio ir detektoriaus sąsajos, Duomenų rinkimas - analoginis skaitmeninis keitikl, Logika - multivibratoriai, Atmintis - FPGA konfigūracijos langai and Logika - komparatoriai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107:J electronic components. MT41K128M8DA-107:J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT41K128M8DA-107:J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT41K128M8DA-107:J Produkto atributai
Dalies numeris :
MT41K128M8DA-107:J
Gamintojas :
Micron Technology Inc.
apibūdinimas :
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
DRAM
Technologija :
SDRAM - DDR3L
Atminties dydis :
1Gb (128M x 8)
Laikrodžio dažnis :
933MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
-
Prieigos laikas :
20ns
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
1.283V ~ 1.45V
Darbinė temperatūra :
0°C ~ 95°C (TC)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
78-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
78-FBGA (8x10.5)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
Karštos dalys
- W25P20VSNIG T&R
- AT27BV020-90JU
- AT49F040A-70TI-T
- AT49BV6416-70TU-T
- AT24C08AN-10SI-2.7-T
- AT25040AN-10SU-2.7
- CY7C1361B-117AC
- M27C256B-15B1
- AT49BV320T-90UI
- FM93C46EN
- AT28C17E-20JC
- AT27C1024-70VC
- NM27C010VE120
- R1RW0416DSB-2PR#B0
- W25Q64FVZPJQ TR
- W25Q128FVFJP TR
- MSP14LV164-E1-GH-001
- CG7925AM
- W632GU8AB-11
- EDB4064B3PD-8D-F-D
- CG7841AA
- LE26CAP08TT-BH
- W25Q16CVZPJG TR
- CY7C1380S-167BZCT
- M25P40-VMC6TGB TR
- 70V9289L9PRFI8
- MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A
- CY7C025-15AXI
- MT29F2G08ABBEAH4:E TR
- MT41K256M16HA-125 IT:E
- MT46H128M32L2MC-5 IT:A
- SST39WF1602-70-4I-MBQE
- CY7C1514SV18-250BZC
- MT46H16M32LFCX-5 IT:B
- M93C66-RMB6TG
- IDT71V416L12PH
- IS45S16400F-6BLA1-TR
- CY62167DV18LL-55BVXIT
- W97AH6KBQX2E
- MX30LF1208AA-XKI