Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Galios tvarkyklės moduliai
  5. GHIS080A120S1-E1

Global Power Technologies Group - GHIS080A120S1-E1

KEY Part #: K6531752

GHIS080A120S1-E1 Kainodara (USD) [1633vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$26.52187
  • 10 pcs$25.49077
Dalies numeris:
GHIS080A120S1-E1
Gamintojas:
Global Power Technologies Group
Išsamus aprašymas:
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS080A120S1-E1 electronic components. GHIS080A120S1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS080A120S1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S1-E1 Produkto atributai

Dalies numeris : GHIS080A120S1-E1
Gamintojas : Global Power Technologies Group
apibūdinimas : SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
Serija : -
Dalies būsena : Active
Tipas : IGBT
Konfigūracija : 1 Phase
Dabartinis : 160A
Įtampa : 1.2kV
Įtampa - izoliacija : 2500Vrms
Pakuotė / Byla : SOT-227-4, miniBLOC

Naujausios naujienos

Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Galbūt jus taip pat domina
  • DZ23C6V2-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C8V2-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23. Zener Diodes 8.2Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C6V8-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23. Zener Diodes 6.8Volt 0.3 Watt 5%

  • AZ23C20-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 300MW SOT23. Zener Diodes 20 Volt 0.3W 5% CA

  • DZ23C3V6-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 3.6V 300MW SOT23. Zener Diodes 3.6Volt 0.3 Watt 5%

  • DZ23C7V5-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 7.5V 300MW SOT23. Zener Diodes 7.5Volt 0.3 Watt 5%

Karštos dalys