MBR440MFST3G Kainodara (USD) [654132vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.05967
- 5,000 pcs$0.05937
- Dalies numeris:
- MBR440MFST3G
- Gamintojas:
- ON Semiconductor
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 40V 4A 5DFN. Rectifiers 4.0A 40V SCHOTTKY DIODE
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - JFET, Diodai - lygintuvai - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - moduliai and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in ON Semiconductor MBR440MFST3G electronic components. MBR440MFST3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR440MFST3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBR440MFST3G Produkto atributai
Dalies numeris :
MBR440MFST3G
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 40V 4A 5DFN
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
40V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
4A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
650mV @ 4A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
800µA @ 40V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
8-PowerTDFN, 5 Leads
Tiekėjo įrenginio paketas :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
Karštos dalys
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A