Vishay Siliconix - SQD07N25-350H_GE3

KEY Part #: K6402051

SQD07N25-350H_GE3 Kainodara (USD) [126516vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.29235

Dalies numeris:
SQD07N25-350H_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - Zener - masyvai and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQD07N25-350H_GE3 electronic components. SQD07N25-350H_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD07N25-350H_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD07N25-350H_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQD07N25-350H_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 250V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 7A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 350 mOhm @ 10A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 29nC @ 10V
VG (maks.) : ±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1205pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 71W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-252AA
Pakuotė / Byla : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Galbūt jus taip pat domina
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.