Infineon Technologies - IRG7T300SD12B

KEY Part #: K6533515

[807vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    IRG7T300SD12B
    Gamintojas:
    Infineon Technologies
    Išsamus aprašymas:
    MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Infineon Technologies IRG7T300SD12B electronic components. IRG7T300SD12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG7T300SD12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG7T300SD12B Produkto atributai

    Dalies numeris : IRG7T300SD12B
    Gamintojas : Infineon Technologies
    apibūdinimas : MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62
    Serija : -
    Dalies būsena : Obsolete
    IGBT tipas : -
    Konfigūracija : Single
    Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) : 1200V
    Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) : 600A
    Galia - maks : 1800W
    Vce (įjungta) (maks.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 300A
    Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) : 4mA
    Įvesties talpa (Cies) @ Vce : 41.5nF @ 25V
    Įvestis : Standard
    NTC termistorius : No
    Darbinė temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Montavimo tipas : Chassis Mount
    Pakuotė / Byla : POWIR® 62 Module
    Tiekėjo įrenginio paketas : POWIR® 62

    Galbūt jus taip pat domina
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.