LL4150GS08 Kainodara (USD) [3058254vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.01209
- 2,500 pcs$0.01165
- 5,000 pcs$0.01051
- 12,500 pcs$0.00914
- 25,000 pcs$0.00822
- 62,500 pcs$0.00731
- 125,000 pcs$0.00609
- Dalies numeris:
- LL4150GS08
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/300mA T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tiristoriai - SCR - moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4150GS08 electronic components. LL4150GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4150GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4150GS08 Produkto atributai
Dalies numeris :
LL4150GS08
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
300mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 200mA
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 50V
Talpa @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-80 MiniMELF
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18