V8PM10SHM3/H Kainodara (USD) [423172vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.09223
- 1,500 pcs$0.09178
- 3,000 pcs$0.08368
- 7,500 pcs$0.07828
- 10,500 pcs$0.07288
- Dalies numeris:
- V8PM10SHM3/H
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 8A TMBS AEC-Q101 Qualified
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Tiristoriai - SCR ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V8PM10SHM3/H electronic components. V8PM10SHM3/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V8PM10SHM3/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
V8PM10SHM3/H Produkto atributai
Dalies numeris :
V8PM10SHM3/H
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
Serija :
Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Schottky
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
780mV @ 8A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
200µA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
860pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-277, 3-PowerDFN
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-277A (SMPC)
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High
-
-
-
RB751V-40
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=30V, IO=0.3A
-
CMDD2004 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW
-
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G