Dalies numeris :
SQM110N05-06L_GE3
Gamintojas :
Vishay Siliconix
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
55V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
110A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
6 mOhm @ 30A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
110nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
4440pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
157W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263 (D2Pak)
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB