VS-ST180S12P0V Kainodara (USD) [869vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$50.91328
- 10 pcs$48.28707
- 25 pcs$46.97347
- 100 pcs$40.70975
- Dalies numeris:
- VS-ST180S12P0V
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93. SCRs 1200 Volt 200 Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST180S12P0V electronic components. VS-ST180S12P0V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST180S12P0V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST180S12P0V Produkto atributai
Dalies numeris :
VS-ST180S12P0V
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
SCR PHASE CONT 1200V 200A TO93
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Įtampa - išjungta būsena :
1.2kV
Įtampa - vartų įjungiklis (Vgt) (maks.) :
3V
Dabartinis - vartų įjungiklis (Igt) (maks.) :
150mA
Įtampa - esant būsenai (Vtm) (maks.) :
1.75V
Dabartinė - įjungta būsena (ji (AV)) (maks.) :
200A
Dabartinė - įjungta būsena (ji (RMS)) (maks.) :
314A
Dabartinis - sulaikytas (Ih) (maks.) :
600mA
Dabartinė - išjungta būsena (maks.) :
30mA
Srovė - nereprezentinis viršįtampis 50, 60Hz (jos ilgis) :
5000A, 5230A
SCR tipas :
Standard Recovery
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 125°C
Montavimo tipas :
Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla :
TO-209AB, TO-93-4, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-209AB (TO-93)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karštos dalys
- C702CP
- T9KC600603DH
- T500047004AQ
- JANTX2N2325A
- MCR100-6-AP
- CPS041-CS18B-WN
- CS220-8D
- CS202-4B
- 2N2323AS
- 2N682A
- 2N681
- CS218I-30D
- CR5AS-12A#B01
- JAN2N2328S
- JAN2N2326A
- JANTXV2N2324
- JANTX2N2326S
- TIC116D-S
- TIC126D-S
- TYN16X-800RT,127
- SK006R
- CR02AM-8#F00
- 2N6394
- S4008FS31
- S2006VS2TP
- EC103B1AP
- EC103B1RP
- S4016R
- S8012R
- S8008R
- S2012DRP
- S8010V
- S6008V
- S8008V
- 16TTS12
- BT258X-600R,127
- JANTX2N2325U4
- JANTXV2N2323AS
- T72H1642K4DN
- S6010FS31