Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N4151

Microsemi Corporation - 1N4151

KEY Part #: K6456493

1N4151 Kainodara (USD) [127239vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.30675
  • 1,021 pcs$0.30523
Dalies numeris:
1N4151
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - JFET, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation 1N4151 electronic components. 1N4151 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4151, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4151 Produkto atributai

Dalies numeris : 1N4151
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 75V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 200mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 50mA
Greitis : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) : 2ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 50nA @ 50V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-204AH, DO-35, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-35
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • DSEP8-03AS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA.

  • VS-16EDH02HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101

  • SL03-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V

  • BYV29B-400HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns Single Glass Pass

  • FESB8BTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 100 Volt 35ns 125 Amp IFSM

  • UGB8CTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 150 Volt 20ns 150 Amp IFSM

Karštos dalys