Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF

KEY Part #: K6399320

IRL2203NSTRLPBF Kainodara (USD) [78388vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.49881
  • 800 pcs$0.43164

Dalies numeris:
IRL2203NSTRLPBF
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies IRL2203NSTRLPBF electronic components. IRL2203NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL2203NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL2203NSTRLPBF Produkto atributai

Dalies numeris : IRL2203NSTRLPBF
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
Serija : HEXFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 116A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 7 mOhm @ 60A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 60nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3290pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 3.8W (Ta), 180W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IRFI614GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220FP.