GeneSiC Semiconductor - S25DR

KEY Part #: K6425477

S25DR Kainodara (USD) [18671vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.20729
  • 200 pcs$1.67667

Dalies numeris:
S25DR
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 25A DO220AA. Rectifiers 200V 25A REV Leads Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - SCR - moduliai, Tranzistoriai - specialios paskirties and Galios tvarkyklės moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S25DR electronic components. S25DR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25DR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S25DR Produkto atributai

Dalies numeris : S25DR
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 25A DO220AA
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard, Reverse Polarity
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 25A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 25A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 50V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla : DO-203AA, DO-4, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas : -
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C
Galbūt jus taip pat domina
  • BAS70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • QH12BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier

  • QH03BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier

  • VS-SD1100C12C

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp

  • 63SPB100A

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V 60A SPD-2A.

  • SBAS116LT1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T