STTH812G-TR Kainodara (USD) [104727vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.37336
- 1,000 pcs$0.30834
- 2,000 pcs$0.28779
- 5,000 pcs$0.27408
- Dalies numeris:
- STTH812G-TR
- Gamintojas:
- STMicroelectronics
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK. Rectifiers Ultrafast Recovery 1200 V Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - SCR - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Galios tvarkyklės moduliai, Diodai - Zener - masyvai and Diodai - lygintuvai - masyvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in STMicroelectronics STTH812G-TR electronic components. STTH812G-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STTH812G-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STTH812G-TR Produkto atributai
Dalies numeris :
STTH812G-TR
Gamintojas :
STMicroelectronics
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
2.2V @ 8A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
100ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
8µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
D2PAK
Darbinė temperatūra - sankryža :
175°C (Max)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
Karštos dalys
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18