Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JANTX1N5807US

Microsemi Corporation - JANTX1N5807US

KEY Part #: K6429358

JANTX1N5807US Kainodara (USD) [7693vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Dalies numeris:
JANTX1N5807US
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Diodai - RF, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tiristoriai - SCR - moduliai, Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5807US electronic components. JANTX1N5807US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5807US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5807US Produkto atributai

Dalies numeris : JANTX1N5807US
Gamintojas : Microsemi Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
Serija : Military, MIL-PRF-19500/477
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 875mV @ 4A
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 30ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 50V
Talpa @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : SQ-MELF, B
Tiekėjo įrenginio paketas : B, SQ-MELF
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 175°C

Naujausios naujienos

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Galbūt jus taip pat domina
  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • VT5202-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A 200V Trench Stky Rectifier

  • SS12P2LHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A,20V,SM SKY RECT.

  • SS3P6LHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 3A,60V,SM SKY RECT.

  • AU3PDHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V, SMPC,FER, Avalanche SM

  • AU2PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,200V,FER, Avalanche SM

Karštos dalys