IDC15D120T6MX1SA2 Kainodara (USD) [34895vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$1.18108
- Dalies numeris:
- IDC15D120T6MX1SA2
- Gamintojas:
- Infineon Technologies
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Infineon Technologies IDC15D120T6MX1SA2 electronic components. IDC15D120T6MX1SA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC15D120T6MX1SA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC15D120T6MX1SA2 Produkto atributai
Dalies numeris :
IDC15D120T6MX1SA2
Gamintojas :
Infineon Technologies
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
1200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
25A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
2.05V @ 25A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5.2µA @ 1200V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
Die
Tiekėjo įrenginio paketas :
Sawn on foil
Darbinė temperatūra - sankryža :
-40°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Karštos dalys
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G