Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N6629US

Microsemi Corporation - 1N6629US

KEY Part #: K6444273

[2506vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    1N6629US
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - Zener - masyvai, Tiristoriai - SCR, Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - JFET ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation 1N6629US electronic components. 1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N6629US Produkto atributai

    Dalies numeris : 1N6629US
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF
    Serija : -
    Dalies būsena : Discontinued at Digi-Key
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 880V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.4A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.4V @ 1.4A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 50ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 2µA @ 880V
    Talpa @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
    Tiekėjo įrenginio paketas : A-MELF
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

    Naujausios naujienos

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Galbūt jus taip pat domina
    • DB3Y313KEL

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

    • VS-8EWS12STRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • SCS120KGC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Barrier Diodes Mounting

    • SCS220KGHRC

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

    • RFUS10TF4S

      Rohm Semiconductor

      DIODE GEN PURP 430V 10A TO220NFM. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SWITCH 600V 10A 3PIN 3+TAB

    • LSIC2SD120E30CC

      Littelfuse Inc.

      SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 30A. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode

    Karštos dalys