STMicroelectronics - STB100N6F7

KEY Part #: K6397022

STB100N6F7 Kainodara (USD) [77618vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.50376
  • 1,000 pcs$0.45014

Dalies numeris:
STB100N6F7
Gamintojas:
STMicroelectronics
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tiristoriai - SCR, Diodai - lygintuvai - viengubi, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in STMicroelectronics STB100N6F7 electronic components. STB100N6F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB100N6F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB100N6F7 Produkto atributai

Dalies numeris : STB100N6F7
Gamintojas : STMicroelectronics
apibūdinimas : MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
Serija : STripFET™ F7
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 100A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5.6 mOhm @ 50A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 30nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 1980pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 125W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Galbūt jus taip pat domina
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.