Dalies numeris :
PHU11NQ10T,127
Gamintojas :
NXP USA Inc.
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
10.9A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
180 mOhm @ 9A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
4V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
14.7nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
360pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
57.7W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas :
Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas :
I-PAK
Pakuotė / Byla :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA