IXYS - IXTH60N30T

KEY Part #: K6416965

IXTH60N30T Kainodara (USD) [21534vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.21186
  • 30 pcs$2.20086

Dalies numeris:
IXTH60N30T
Gamintojas:
IXYS
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 300V 60A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in IXYS IXTH60N30T electronic components. IXTH60N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH60N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH60N30T Produkto atributai

Dalies numeris : IXTH60N30T
Gamintojas : IXYS
apibūdinimas : MOSFET N-CH 300V 60A TO-247
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 300V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 60A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : -
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : -
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : -
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : -
VG (maks.) : -
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : -
Darbinė temperatūra : -
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-247 (IXTH)
Pakuotė / Byla : TO-247-3

Galbūt jus taip pat domina
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.