Vishay Siliconix - SI2302CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6417678

SI2302CDS-T1-GE3 Kainodara (USD) [471021vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Dalies numeris:
SI2302CDS-T1-GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tranzistoriai - JFET ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3 electronic components. SI2302CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2302CDS-T1-GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SI2302CDS-T1-GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Serija : TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 20V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 2.6A (Ta)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 2.5V, 4.5V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 850mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 5.5nC @ 4.5V
VG (maks.) : ±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : -
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 710mW (Ta)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : SOT-23-3 (TO-236)
Pakuotė / Byla : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Galbūt jus taip pat domina