Infineon Technologies - BSC057N03LSGATMA1

KEY Part #: K6420881

BSC057N03LSGATMA1 Kainodara (USD) [279894vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.13215
  • 5,000 pcs$0.12686

Dalies numeris:
BSC057N03LSGATMA1
Gamintojas:
Infineon Technologies
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Infineon Technologies BSC057N03LSGATMA1 electronic components. BSC057N03LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC057N03LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC057N03LSGATMA1 Produkto atributai

Dalies numeris : BSC057N03LSGATMA1
Gamintojas : Infineon Technologies
apibūdinimas : MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
Serija : OptiMOS™
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 30V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 17A (Ta), 71A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 5.7 mOhm @ 30A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 30nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 2400pF @ 15V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PG-TDSON-8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN