Dalies numeris :
RN2111MFV,L3F
Gamintojas :
Toshiba Semiconductor and Storage
apibūdinimas :
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Tranzistoriaus tipas :
PNP - Pre-Biased
Dabartinis - kolektorius (Ic) (maks.) :
100mA
Įtampa - kolektoriaus skleidėjo suskirstymas (maks.) :
50V
Rezistorius - bazė (R1) :
10 kOhms
Rezistorius - emiterio bazė (R2) :
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
120 @ 1mA, 5V
Vce sodrumas (maks.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Dabartinė - Kolekcionieriaus atjungimas (maks.) :
100nA (ICBO)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
VESM