Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-1N1184

KEY Part #: K6441577

VS-1N1184 Kainodara (USD) [14255vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$3.03642
  • 10 pcs$2.74336
  • 25 pcs$2.61564
  • 100 pcs$2.27110
  • 250 pcs$2.16904
  • 500 pcs$1.97764
  • 1,000 pcs$1.72246

Dalies numeris:
VS-1N1184
Gamintojas:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB. Rectifiers 100 Volt 35 Amp
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai), Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET and Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N1184 electronic components. VS-1N1184 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N1184, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-1N1184 Produkto atributai

Dalies numeris : VS-1N1184
Gamintojas : Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 35A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.7V @ 110A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10mA @ 100V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla : DO-203AB, DO-5, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-203AB
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 190°C

Galbūt jus taip pat domina
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-C4PH6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L