VS-1N1184 Kainodara (USD) [14255vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$3.03642
- 10 pcs$2.74336
- 25 pcs$2.61564
- 100 pcs$2.27110
- 250 pcs$2.16904
- 500 pcs$1.97764
- 1,000 pcs$1.72246
- Dalies numeris:
- VS-1N1184
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB. Rectifiers 100 Volt 35 Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tiristoriai - SCR, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-1N1184 electronic components. VS-1N1184 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-1N1184, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-1N1184 Produkto atributai
Dalies numeris :
VS-1N1184
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
35A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.7V @ 110A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
-
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10mA @ 100V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Chassis, Stud Mount
Pakuotė / Byla :
DO-203AB, DO-5, Stud
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-203AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 190°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
-
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
-
-
-
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L
-
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L
Karštos dalys
- FES8JT-13HE3/45
- SF10FG-A
- MBR3100VP-G1
- F1842D1600
- R6012625XXYA
- VS-50SQ100G
- GP10A-M3/73
- VSB1545-M3/54
- RU 4
- MSG105
- VS-HFA08TB120SPBF
- GP02-30-E3/73
- STPS20M60ST
- SS3P6-E3/84A
- S1MHE3/61T
- S1DHE3/5AT
- RGP15MHE3/54
- MP805-E3/54
- BYD33GGP-E3/54
- AGP15-600HE3/54
- GP08DHE3/73
- BA159GPHE3/73
- R5100610XXWA
- GL34J-TP
- SBL850
- SIDC01D120H6
- ISL9R460S3ST
- CRS04(TE85L)
- 8TQ080STRR
- 15TQ060STRR
- B560C-13
- RL204-T
- MBR1645H
- RL252M-TP
- ESH2DHE3_A/I
- GF1GHE3/5CA
- GP02-40-E3/54
- RGP02-14E-E3/54
- SE10PJHM3/84A
- BAS29,215