EGP51C-E3/C Kainodara (USD) [247410vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.14950
- Dalies numeris:
- EGP51C-E3/C
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 150V 5A DO201AD. Rectifiers 5A,150V,50NS
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - lygintuvai - masyvai and Tranzistoriai - specialios paskirties ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP51C-E3/C electronic components. EGP51C-E3/C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP51C-E3/C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
EGP51C-E3/C Produkto atributai
Dalies numeris :
EGP51C-E3/C
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 150V 5A DO201AD
Serija :
SUPERECTIFIER®
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
150V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
5A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
960mV @ 5A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
50ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
5µA @ 150V
Talpa @ Vr, F :
117pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
DO-201AD, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-201AD
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
IDB30E120ATMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A
-
-
SE10FDHM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier
-
SE10FJ-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier
Karštos dalys
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08