Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. 1N5402T-G

Comchip Technology - 1N5402T-G

KEY Part #: K6428532

1N5402T-G Kainodara (USD) [1221065vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.03029
  • 5,000 pcs$0.02489
Dalies numeris:
1N5402T-G
Gamintojas:
Comchip Technology
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD. Diodes - General Purpose, Power, Switching VRRM=200V, IAV=3A
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tiristoriai - SCR - moduliai, Galios tvarkyklės moduliai and Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Comchip Technology 1N5402T-G electronic components. 1N5402T-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5402T-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5402T-G Produkto atributai

Dalies numeris : 1N5402T-G
Gamintojas : Comchip Technology
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 3A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1V @ 3A
Greitis : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : -
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 200V
Talpa @ Vr, F : -
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : DO-201AD, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas : DO-27 (DO-201AD)
Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 125°C

Naujausios naujienos

Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Galbūt jus taip pat domina
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • VSB2045Y-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS

  • VSSAF5L45-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,45V,TRENCH SKY RECT.

  • SE30PAJ-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA

  • VS-2EJH01-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

Karštos dalys