Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. BYC30B-600PJ

WeEn Semiconductors - BYC30B-600PJ

KEY Part #: K6440512

[3792vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    BYC30B-600PJ
    Gamintojas:
    WeEn Semiconductors
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK. Rectifiers BYC30B-600PJ/D2PAK/REEL 13\" Q1/T1
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Galios tvarkyklės moduliai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tiristoriai - SCR and Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in WeEn Semiconductors BYC30B-600PJ electronic components. BYC30B-600PJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYC30B-600PJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYC30B-600PJ Produkto atributai

    Dalies numeris : BYC30B-600PJ
    Gamintojas : WeEn Semiconductors
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    Serija : -
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 30A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 2.75V @ 30A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 35ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 600V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Tiekėjo įrenginio paketas : D2PAK
    Darbinė temperatūra - sankryža : 175°C (Max)
    Galbūt jus taip pat domina
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • RGP15B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC. Rectifiers 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM

    • BYV26EGP-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO204AC. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 75ns Glass Passivated

    • GP15J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO204AC. Rectifiers 600 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM

    • 1N5399GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt Glass Passivated

    Karštos dalys