Vishay Siliconix - SQJQ466E-T1_GE3

KEY Part #: K6418433

SQJQ466E-T1_GE3 Kainodara (USD) [63669vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.61411
  • 2,000 pcs$0.51781

Dalies numeris:
SQJQ466E-T1_GE3
Gamintojas:
Vishay Siliconix
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - specialios paskirties, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Diodai - lygintuvai - viengubi, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - JFET and Diodai - Zener - masyvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Vishay Siliconix SQJQ466E-T1_GE3 electronic components. SQJQ466E-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJQ466E-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ466E-T1_GE3 Produkto atributai

Dalies numeris : SQJQ466E-T1_GE3
Gamintojas : Vishay Siliconix
apibūdinimas : MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
Serija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 60V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 200A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 1.9 mOhm @ 10A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 180nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 10210pF @ 25V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 150W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas : PowerPAK® 8 x 8
Pakuotė / Byla : 8-PowerTDFN

Galbūt jus taip pat domina
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.