Samsung Semiconductor - K4F6E3D4HB-MHCJ

KEY Part #: K7359765

[21953vnt. sandėlyje]


    Dalies numeris:
    K4F6E3D4HB-MHCJ
    Gamintojas:
    Samsung Semiconductor
    Išsamus aprašymas:
    16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: MODULE, DDR4, HBM Aquabolt, DDR3, LPDDR4, LPDDR3, LPDDR4X and LPDDR5 ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4F6E3D4HB-MHCJ electronic components. K4F6E3D4HB-MHCJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4F6E3D4HB-MHCJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4F6E3D4HB-MHCJ Produkto atributai

    Dalies numeris : K4F6E3D4HB-MHCJ
    Gamintojas : Samsung Semiconductor
    apibūdinimas : 16 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    Serija : DDR3
    tankis : 16 Gb
    Org. : x32
    greitis : 3733 Mbps
    Įtampa : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
    Temp. : -40 ~ 105 °C
    paketas : 200FBGA
    Prekės statusas : Mass Production

    Galbūt jus taip pat domina
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.