Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. IS46DR16640C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46DR16640C-3DBLA1-TR

KEY Part #: K938173

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Kainodara (USD) [19456vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$2.35509
Dalies numeris:
IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Gamintojas:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ. DRAM Automotive 1G 1.8V DDR2 64Mx16 333MHz
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - universaliosios magistralės funkcijos, Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Logika - komparatoriai, PMIC - akumuliatorių valdymas, PMIC - V / F ir F / V keitikliai, Įterptieji - Mikrovaldikliai - Konkreti programa, Linijiniai - Stiprintuvai - Garsas and Logika - skląsčiai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR electronic components. IS46DR16640C-3DBLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46DR16640C-3DBLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46DR16640C-3DBLA1-TR Produkto atributai

Dalies numeris : IS46DR16640C-3DBLA1-TR
Gamintojas : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
apibūdinimas : IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ
Serija : -
Dalies būsena : Active
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - DDR2
Atminties dydis : 1Gb (64M x 16)
Laikrodžio dažnis : 333MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 450ps
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.9V
Darbinė temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 84-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 84-TWBGA (8x12.5)

Naujausios naujienos

Silicom MinnowBoard Turbot
Galbūt jus taip pat domina
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Karštos dalys