GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

Šeimos kategorijos:: PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni and Tranzistoriai - IGBT - moduliai ...

Konkurencinis pranašumas:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA electronic components. 1N8033-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8033-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Dalies numeris : 1N8033-GA

Gamintojas : GeneSiC Semiconductor

apibūdinimas : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Serija : -

Dalies būsena : Obsolete

Diodo tipas : Silicon Carbide Schottky

Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 650V

Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 4.3A (DC)

Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.65V @ 5A

Greitis : No Recovery Time > 500mA (Io)

Atbulinės eigos laikas (trr) : 0ns

Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 650V

Talpa @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

Montavimo tipas : Surface Mount

Pakuotė / Byla : TO-276AA

Tiekėjo įrenginio paketas : TO-276

Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 250°C

Galbūt jus taip pat domina

MMBD4148-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.
BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-MBRD340PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.
VS-50WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.
VS-50WQ03FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

Karštos dalys