Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - lygintuvai - viengubi
  5. JANTXV1N6622U

Microsemi Corporation - JANTXV1N6622U

KEY Part #: K6442409

[3143vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    JANTXV1N6622U
    Gamintojas:
    Microsemi Corporation
    Išsamus aprašymas:
    DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - RF, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6622U electronic components. JANTXV1N6622U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6622U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6622U Produkto atributai

    Dalies numeris : JANTXV1N6622U
    Gamintojas : Microsemi Corporation
    apibūdinimas : DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
    Serija : Military, MIL-PRF-19500/585
    Dalies būsena : Active
    Diodo tipas : Standard
    Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 600V
    Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1.2A
    Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.4V @ 1.2A
    Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Atbulinės eigos laikas (trr) : 30ns
    Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 500nA @ 600V
    Talpa @ Vr, F : -
    Montavimo tipas : Surface Mount
    Pakuotė / Byla : SQ-MELF, A
    Tiekėjo įrenginio paketas : D-5A
    Darbinė temperatūra - sankryža : -65°C ~ 150°C

    Naujausios naujienos

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Galbūt jus taip pat domina
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    Karštos dalys