S29GL256S10DHSS50 Kainodara (USD) [19310vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$2.37300
- Dalies numeris:
- S29GL256S10DHSS50
- Gamintojas:
- Cypress Semiconductor Corp
- Išsamus aprašymas:
- IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - komparatoriai, Logika - signalų jungikliai, multiplekseriai, deko, Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Laikrodis / laikas - konkreti programa, PMIC - įtampos reguliatoriai - specialios paskirti, Linijiniai - stiprintuvai - instrumentai, OP stipr, Įterptosios - FPGA (programuojamas lauko masyvas) and PMIC - energijos matavimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10DHSS50 electronic components. S29GL256S10DHSS50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256S10DHSS50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL256S10DHSS50 Produkto atributai
Dalies numeris :
S29GL256S10DHSS50
Gamintojas :
Cypress Semiconductor Corp
apibūdinimas :
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
Serija :
GL-S
Dalies būsena :
Active
Atminties tipas :
Non-Volatile
Atminties formatas :
FLASH
Technologija :
FLASH - NOR
Atminties dydis :
256Mb (16M x 16)
Laikrodžio dažnis :
-
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
60ns
Prieigos laikas :
100ns
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
2.7V ~ 3.6V
Darbinė temperatūra :
0°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
64-LBGA
Tiekėjo įrenginio paketas :
64-FBGA (9x9)
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
-
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Karštos dalys
- AT24C1024W-10SU-2.7-T
- MT28F800B5SG-8 T
- AT49F001AN-55JI
- AT25320A-10PI-1.8
- CY7C056V-15AC
- AT93C56W-10SI
- AT27LV520-90SI
- AT24C64-10PC-1.8
- NM93C06LM8
- NM24C04EM8
- 7006L25JI8
- 24AA08H-I/S16K
- S99FL132KMM43
- S25FL164K0XMFV011
- S25FL164K0XMFIS11
- MT47H32M16U67A3WC1
- MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR
- IDT71256SA15PZ
- 7006L20J
- MT44K16M36RB-093E IT:A TR
- MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR
- AT45DB642D-CNU
- TC58NVG3S0FTA00
- M25P16-VMC6TG TR
- CY7C1461SV33-133AXI
- CY7C09289V-9AC
- RC48F4400P0VB0EJ
- CY7C1515KV18-333BZI
- CY7C0852AV-133BBC
- CAT24C16WI-G
- IDT71V016SA20PHI
- MT46V128M4FN-5B:D TR
- AT27C020-55TU
- CY7C1412BV18-200BZXC
- M95320-MN3/B
- AT26DF161A-SSU
- IS61C1024AL-12TI-TR
- IS42S16400D-7BLI-TR
- S25FL256SAGNFV000
- S25FL256SDSMFBG03