Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Integrinės grandinės (IC)
  4. Atmintis
  5. W987D2HBJX7E

Winbond Electronics - W987D2HBJX7E

KEY Part #: K942114

W987D2HBJX7E Kainodara (USD) [42953vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212
Dalies numeris:
W987D2HBJX7E
Gamintojas:
Winbond Electronics
Išsamus aprašymas:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Laikrodis / laikas - laikrodžio buferiai, tvarkykl, Specialusis garso įrašas, Laikrodis / laikas - IC baterijos, PMIC - akumuliatorių įkrovikliai, Duomenų rinkimas - ADC / DAC - specialios paskirti, Įterptiniai - mikroprocesoriai, Laikrodis / laikas - programuojami laikmačiai ir g and Sąsaja - signalų buferiai, kartotuvai, skirstytuva ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Winbond Electronics W987D2HBJX7E electronic components. W987D2HBJX7E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W987D2HBJX7E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W987D2HBJX7E Produkto atributai

Dalies numeris : W987D2HBJX7E
Gamintojas : Winbond Electronics
apibūdinimas : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serija : -
Dalies būsena : Not For New Designs
Atminties tipas : Volatile
Atminties formatas : DRAM
Technologija : SDRAM - Mobile LPSDR
Atminties dydis : 128Mb (4M x 32)
Laikrodžio dažnis : 133MHz
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis : 15ns
Prieigos laikas : 5.4ns
Atminties sąsaja : Parallel
Įtampa - tiekimas : 1.7V ~ 1.95V
Darbinė temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : 90-TFBGA
Tiekėjo įrenginio paketas : 90-VFBGA (8x13)

Naujausios naujienos

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Galbūt jus taip pat domina
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • M24256-BRDW6P

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 512Kbit and 256Kbit EEPROM

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

Karštos dalys