CY7C199CN-12VXA Kainodara (USD) [19219vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$2.26079
- 10 pcs$2.06512
- 25 pcs$2.02563
- 50 pcs$2.01171
- 100 pcs$1.80467
- Dalies numeris:
- CY7C199CN-12VXA
- Gamintojas:
- Cypress Semiconductor Corp
- Išsamus aprašymas:
- IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ.
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Logika - skaitikliai, dalikliai, PMIC - lazeriniai vairuotojai, PMIC - „Power over Ethernet“ (PoE) valdikliai, Įterptosios - FPGA (programuojamas lauko vartų rin, Logika - buferiai, tvarkyklės, imtuvai, siųstuvai, PMIC - ARBA valdikliai, idealūs diodai, Linijiniai - komparatoriai and Sąsaja - jutiklis, talpinis prisilietimas ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp CY7C199CN-12VXA electronic components. CY7C199CN-12VXA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CY7C199CN-12VXA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CY7C199CN-12VXA Produkto atributai
Dalies numeris :
CY7C199CN-12VXA
Gamintojas :
Cypress Semiconductor Corp
apibūdinimas :
IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ
Serija :
-
Dalies būsena :
Obsolete
Atminties tipas :
Volatile
Atminties formatas :
SRAM
Technologija :
SRAM - Asynchronous
Atminties dydis :
256Kb (32K x 8)
Laikrodžio dažnis :
-
Rašyti ciklo laiką - žodis, puslapis :
12ns
Prieigos laikas :
12ns
Atminties sąsaja :
Parallel
Įtampa - tiekimas :
4.5V ~ 5.5V
Darbinė temperatūra :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Tiekėjo įrenginio paketas :
28-SOJ
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
-
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Karštos dalys
- MT46V32M16P-75:C
- MT28F800B3SG-9 T TR
- AT24C64AN-10SI-2.7-T
- AT49LV002N-70VI
- CY7C028-15AC
- AT25128N-10SI-1.8
- S29GL128N10FFI020
- MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
- MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C
- 71V30VL90TF8
- 93C46B/W15K
- 93C46B-I/W15K
- 24AA16-I/W16K
- S99FL164KMI00
- A2C00045230 A
- IS65WV25616DBLL-45CTLA1
- MT49H32M18CSJ-25E IT:B
- IS62WV6416DBLL-45BLI
- IS61NVP51236-200B3LI
- M25P128-VME6GB
- N25Q512A83GSF40F TR
- MT48LC8M16A2P-7E IT:L
- MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
- MT29E256G08CMCABJ2-10Z:A TR
- W25Q16CVSFIG TR
- MX25U6435EZNI-12G
- MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
- MT47H128M8JN-3 IT:H
- MT47H128M8CF-25E:H
- SST39SF020A-45-4I-WHE
- STK11C68-L35
- JS28F00AP33BF0
- IDT71V416VS15YG
- 71V321S25J8
- 70V9199L9PF
- 7024L20PF8
- CY7C1412BV18-250BZXC
- CY7C1460AV25-167BZXI
- CY7C1360C-166BZI
- M29F040B90N1T TR