Diodes Incorporated - DMT10H010LCT

KEY Part #: K6397813

DMT10H010LCT Kainodara (USD) [52836vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.74004
  • 50 pcs$0.59788
  • 100 pcs$0.53809
  • 500 pcs$0.41852
  • 1,000 pcs$0.32803

Dalies numeris:
DMT10H010LCT
Gamintojas:
Diodes Incorporated
Išsamus aprašymas:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - RF, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF and Diodai - kintamos talpos (kintamieji, keitikliai) ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Diodes Incorporated DMT10H010LCT electronic components. DMT10H010LCT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT10H010LCT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT10H010LCT Produkto atributai

Dalies numeris : DMT10H010LCT
Gamintojas : Diodes Incorporated
apibūdinimas : MOSFET N-CH 100V TO220AB
Serija : -
Dalies būsena : Active
FET tipas : N-Channel
Technologija : MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) : 100V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C : 98A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) : 4.5V, 10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs : 71nC @ 10V
VG (maks.) : ±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds : 3000pF @ 50V
FET funkcija : -
Galios išsklaidymas (maks.) : 2W (Ta), 139W (Tc)
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Tiekėjo įrenginio paketas : TO-220AB
Pakuotė / Byla : TO-220-3

Galbūt jus taip pat domina
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.