Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. Diskretiniai puslaidininkių produktai
  4. Diodai - tiltiniai lygintuvai
  5. DB105G

GeneSiC Semiconductor - DB105G

KEY Part #: K6537584

DB105G Kainodara (USD) [442180vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.08712
  • 2,500 pcs$0.08668
Dalies numeris:
DB105G
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Išsamus aprašymas:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB. Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT DB-PK 50-1000V 1A600P/420R
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Diodai - lygintuvai - masyvai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - vieni, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - RF, Tranzistoriai - IGBT - masyvai and Diodai - tiltiniai lygintuvai ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in GeneSiC Semiconductor DB105G electronic components. DB105G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DB105G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DB105G Produkto atributai

Dalies numeris : DB105G
Gamintojas : GeneSiC Semiconductor
apibūdinimas : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Serija : -
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Single Phase
Technologija : Standard
Įtampa - didžiausia atbuline eiga (maks.) : 600V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 1A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.1V @ 1A
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 10µA @ 600V
Darbinė temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas : Through Hole
Pakuotė / Byla : 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Tiekėjo įrenginio paketas : DB
Galbūt jus taip pat domina
  • VSKT500-14

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1400V 500A MAGNAPAK.

  • VSKT500-16

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR DBL 2SCR 1600V 500A MAGNAPAK.

  • VSKH500-12

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    SCR 1200V 500A SUPER MAGN-A-PAK.

  • GBPC3506W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 35 Amp 600 Volt

  • KBPC5002W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 200 V - 50 A

  • KBPC5010W

    GeneSiC Semiconductor

    BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-W. Bridge Rectifiers 1000 V - 50 A

Karštos dalys