Dalies numeris :
FDD6N50TM-WS
Gamintojas :
ON Semiconductor
apibūdinimas :
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Technologija :
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimas į šaltinio įtampą (Vdss) :
500V
Srovė - nenutrūkstamas nutekėjimas (ID) 25 ° C :
6A (Tc)
Važiavimo įtampa (maksimali Rds įjungta, min Rds įjungta) :
10V
„Rds On“ (maks.) @ ID, VG :
900 mOhm @ 3A, 10V
VG (tūkst.) (Maks.) @ ID :
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs :
16.6nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds :
9400pF @ 25V
Galios išsklaidymas (maks.) :
89W (Tc)
Darbinė temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas :
Surface Mount
Tiekėjo įrenginio paketas :
D-Pak
Pakuotė / Byla :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63